參數(shù)資料
型號: BAS28
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: DUAL, ISOLATED HIGH SPEED SWITCHING DIODE
中文描述: 0.25 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 49K
代理商: BAS28
58
Ce nt ra l
S e m ico nd uct o r Co rp .
TM
BAS28
DUAL, ISOLATED HIGH SPEED
SWITCHING DIODE
SOT-143 CASE
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BAS28
type is a ultra-high speed silicon switching
diode manufactured by the epitaxial planar
process, in an epoxy molded surface mount
package with isolated dual diodes, designed
for high speed switching applications.
Marking code is A61.
MAXIMUM RATINGS
(TA=25
o
C)
SYMBOL
VR
VRRM
IF
IFRM
IFSM
IFSM
IFSM
PD
UNITS
V
Continuous Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
Forward Surge Current, tp=1
μ
sec.
Forward Surge Current, tp=1 msec.
Forward Surge Current, tp=1 sec.
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
75
85
250
250
4000
2000
1000
350
V
mA
mA
mA
mA
mA
mW
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
357
o
C
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25
o
C unless otherwise noted)
SYMBOL
IR
IR
IR
VF
VF
VF
VF
CT
trr
Qs
VFR
TEST CONDITIONS
VR=25V, TA=150
o
C
VR=75V
VR=75V, TA=150
o
C
IF=1.0mA
IF=10mA
IF=50mA
IF=150mA
VR=0, f=1 MHz
IF=IR=10mA, RL=100
, Rec. to 1.0mA
IF=10mA, VR=5.0V, RL=500
IF=10mA, tr=20ns
MIN
MAX UNITS
30
1.0
50
0.715
0.855
V
1.000
1.250
2.0
6.0
45
1.75
μ
A
μ
A
μ
A
V
V
V
pF
ns
pC
V
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PDF描述
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