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型號(hào): | BAS21T-7 |
廠商: | DIODES INC |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
中文描述: | 0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
封裝: | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 56K |
代理商: | BAS21T-7 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BAS21VD | High-voltage switching diodes |
BAS281 | Schottky Barrier Diodes |
BAS282 | Schottky Barrier Diodes |
BAS283 | Schottky Barrier Diodes |
BAS282-GS18 | SCHOTTKY DIODES SOD80 QUADROMELF-E2 - Tape and Reel |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BAS21T-7-F | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 200V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
BAS21TA | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
BAS21TC | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
BAS21TM | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE ARRAY |
BAS21TM-7 | 功能描述:DIODE ARRAY 250V 250MA SOT26 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管,整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)(每個(gè)二極管):5A 電壓 - (Vr)(最大):600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 二極管配置:1 對(duì)共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
*型號(hào) | *數(shù)量 | 廠商 | 批號(hào) | 封裝 |
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