參數(shù)資料
型號： BAS216
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： High-speed switching diode
中文描述： 0.25 A, 85 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： CERAMIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大小： 59K
代理商： BAS216
1999 Apr 22
4
Philips Semiconductors
Product specification
High-speed switching diode
BAS216
GRAPHICAL DATA
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
Fig.2
Maximum permissibletotal power dissipation
as a function of ambient temperature.
0
100
200
500
0
MSA570
250
Ptot
(mW)
amb
o
(1) T
j
= 150
°
C; typical values.
(2) T
j
= 25
°
C; typical values.
(3) T
j
= 25
°
C; maximum values.
Fig.3
Forward current as a function of
forward voltage.
handbook, halfpage
0
2
IF
(mA)
0
100
200
MBG382
1
VF (V)
(1)
(3)
(2)
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
Based on square wave currents.
T
j
= 25
°
C prior to surge.
handbook, full pagewidth
MBG704
10
tp (
μ
s)
1
IFSM
(A)
2
10
1
10
4
10
2
10
3
10
1
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