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參數資料
| 型號： | BA283-TR |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, DO-35, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-2, Microwave Mixer Diode |
| 中文描述： | Diodes (General Purpose, Power, Switching) 100mA 35 Volt Band |
| 文件頁數： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 104K |
| 代理商： | BA283-TR |
BA282, BA283
Vishay Semiconductors
Band Switching Diodes
Document Number: 85526
Rev. 1.7, 16-Jul-10
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2
Note
(1)
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
TYPICAL CHARACTERISTICS
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Fig. 1 - Dynamic Forward Resistance vs. Forward Current
Fig. 2 - Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
PACKAGE DIMENSIONS
in millimeters (inches):
DO-35
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(1)
PARAMETER
Forward voltage
Reverse current
TEST CONDITION
I
F
= 100 mA
V
R
= 20 V
f = 100 MHz, V
R
= 1 V
PART
SYMBOL
V
F
I
R
C
D
C
D
C
D
r
f
r
f
r
f
r
f
z
R
MIN.
TYP.
MAX.
1000
50
1.5
1.25
1.2
0.7
1.2
0.5
0.9
UNIT
mV
nA
pF
pF
pF
Ω
Ω
Ω
Ω
k
Ω
Diode capacitance
f = 100 MHz, V
R
= 3 V
BA282
BA283
BA282
BA283
BA282
BA283
Dynamic forward resistance
f = 200 MHz, I
F
= 3 mA
f = 200 MHz, I
F
= 10 mA
Reverse impedance
f = 100 MHz, V
R
= 1 V
100
0.1
1
10
0.1
1
10
100
r
f
-
w
a
Ω
)
I
F
- For
w
ard C
u
rrent (mA)
100
94 9072
BA2
8
2
BA2
8
3
f = 200 MHz
T
j
= 25 °C
0.1
1
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
3.0
C
D
100
94 9073
2.5
V
R
- Re
v
erse
V
oltage (
V
)
T
j
= 25 °C
f = 200 MHz
BA2
8
3
BA2
8
2
94 9366
26 (1.024) min.
3.9 (0.154) max.
26 (1.024) min.
0
Cathode identification
1
1
Re
v
. 6 - Date: 29. Jan
u
ary 2007
Doc
u
ment no.: 6.560-5004.02-4
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