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BUK964R8-60E,118

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
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  • BUK964R8-60E,118
    BUK964R8-60E,118

    BUK964R8-60E,118

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人：彭小姐、劉先生、李小姐

    電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）

    地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號(hào)

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 7500

  • NXP

  • 原廠原裝

  • 1716+

  • -

  • 只做原裝 一手貨源，代理商分銷庫存

  • BUK964R8-60E,118
    BUK964R8-60E,118

    BUK964R8-60E,118

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT404

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • BUK964R8-60E,118
    BUK964R8-60E,118

    BUK964R8-60E,118

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • BUK964R8-60E,118
    BUK964R8-60E,118

    BUK964R8-60E,118

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
BUK964R8-60E,118 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 60V 100A T/R
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • BUK964R8-60E/D2PAK/REEL13// - Tape and Reel
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
BUK964R8-60E,118 技術(shù)參數(shù)
  • BUK964R7-80E,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:92.1nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:15340pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:324W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK964R4-40B,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:64nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7124pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:254W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK964R2-80E,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:123nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:17130pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:349W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK964R2-60E,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:72nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:11380pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:263W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK964R2-55B,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:95nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:10220pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK969R3-100E,118 BUK98150-55,135 BUK98150-55/CUF BUK98150-55A,135 BUK98150-55A/CUF BUK98180-100A,115 BUK98180-100A/CUX BUK9832-55A,115 BUK9832-55A/CUX BUK9840-55,115 BUK9840-55/CUX BUK9875-100A,115 BUK9875-100A/CUX BUK9880-55,135 BUK9880-55/CUF BUK9880-55A,115 BUK9880-55A/CUX BUK9907-40ATC,127
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