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BUK9230-80EJ

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  • BUK9230-80EJ
    BUK9230-80EJ

    BUK9230-80EJ

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NXP/恩智浦

  • SOT428

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 80V DPAK
  • 制造商
  • nxp semiconductors
  • 系列
  • *
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 2,500
BUK9230-80EJ 技術(shù)參數(shù)
  • BUK9230-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 38A DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1725pF @ 25V 功率 - 最大值:88W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BUK9230-100B,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:33nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3805pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:167W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 185°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9226-75A,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 45A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:45A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:114W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24.6 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9225-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 43A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:43A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1724pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:94W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9223-60EJ 功能描述:MOSFET N-CH 60V DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BUK9277-55A/CDJ BUK929R1-60EJ BUK9504-40A,127 BUK9505-30A,127 BUK9506-40B,127 BUK9506-55A,127 BUK9506-55B,127 BUK9506-75B,127 BUK9507-30B,127 BUK9508-55A,127 BUK9508-55B,127 BUK9509-40B,127 BUK9509-55A,127 BUK9509-75A,127 BUK9510-100B,127 BUK9510-55A,127 BUK9511-55A,127 BUK9512-55B,127
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