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BUK929R1-60EJ

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V DPAK
  • 制造商
  • nxp semiconductors
  • 系列
  • *
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 2,500
BUK929R1-60EJ 技術(shù)參數(shù)
  • BUK9277-55A/CDJ 功能描述:MOSFET N-CH DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:* 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 BUK9277-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 18A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):11nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):643pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):51W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):69 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9275-100A,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):21.7A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1690pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):88W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):72 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9245-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 28A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):28A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):14nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1006pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):70W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9240-100A/C1,11 功能描述:MOSFET N-CH 100V DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):38.6 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3072pF @ 25V 功率 - 最大值:114W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BUK9509-40B,127 BUK9509-55A,127 BUK9509-75A,127 BUK9510-100B,127 BUK9510-55A,127 BUK9511-55A,127 BUK9512-55B,127 BUK9514-55A,127 BUK95150-55A,127 BUK9515-100A,127 BUK9515-60E,127 BUK9516-55A,127 BUK9516-75B,127 BUK95180-100A,127 BUK9518-55,127 BUK9518-55A,127 BUK951R6-30E,127 BUK951R8-40EQ
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