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BSH-120-01-C-D-A-TR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 1
BSH-120-01-C-D-A-TR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • .5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY
  • 制造商
  • samtec inc.
  • 系列
  • BSH
  • 包裝
  • 帶卷（TR）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 連接器類型
  • 插口，中央觸點(diǎn)帶
  • 針腳數(shù)
  • 240
  • 間距
  • 0.020"（0.50mm）
  • 排數(shù)
  • 2
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 特性
  • 板導(dǎo)軌
  • 觸頭鍍層
  • 金
  • 觸頭鍍層厚度
  • 50μin（1.27μm）
  • 接合堆疊高度
  • 5mm
  • 板上高度
  • 0.128"（3.25mm）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 125
BSH-120-01-C-D-A-TR 技術(shù)參數(shù)
  • BSH-120-01-C-D-A 功能描述:.5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSH 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插口，中央觸點(diǎn)帶 針腳數(shù):240 間距:0.020"（0.50mm） 排數(shù):2 安裝類型:表面貼裝 特性:板導(dǎo)軌 觸頭鍍層:金 觸頭鍍層厚度:50μin（1.27μm） 接合堆疊高度:5mm 板上高度:0.128"（3.25mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSH114,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:138pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），830mW（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 毫歐 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSH112,235 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSH111BKR 功能描述:MOSFET N-CH 55V SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:210mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:30pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:302mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 200mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSH111,235 功能描述:MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:335mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1nC @ 8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BSH-120-01-H-D-A BSH-120-01-H-D-A-TR BSH-120-01-H-D-EM2 BSH-120-01-H-D-LC BSH-120-01-H-D-LC-TR BSH-120-01-L-D BSH-120-01-L-D-A BSH-120-01-L-D-A-LC BSH-120-01-L-D-A-TR BSH-120-01-L-D-EM2 BSH-120-01-L-D-LC BSH-120-01-L-D-LC-TR BSH-120-01-L-D-TR BSH121,135 BSH14-D BSH14-Q BSH-150-01-C-D BSH-150-01-C-D-A
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