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BSC0908NS
深圳市海天鴻電子科技有限公司
深圳市海天鴻電子科技有限公司
聯(lián)系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）
地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號
資質：營業(yè)執(zhí)照
8500
INFINEON
SO-8
1708+
-
只做原裝一手貨源，代理商分銷庫存

BSC0908NS
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
INFINEON
QFN-8
15+
-
原裝正品，假一罰十

BSC0908NSATMA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-TDSON-8
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

BSC0908NS
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室
69800
INFINEON
近兩年生產
DFN-8
-
每一片都來自原廠

BSC0908NS
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
3500
Infineon
SO8
13+
-
Infineon一級代理，價優(yōu)

BSC0908NS
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
QFN8
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

BSC0908NS
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706
資質：營業(yè)執(zhí)照
3000
INF
QFN8
假一賠十！
-
絕對原裝現(xiàn)貨?。?/p>

BSC0908NS
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
infineon
SuperSO8
22+
-
十年配單，只做原裝

BSC0908NS
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
TDSON-8
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

BSC0908NS
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
69200
INFINEON
TDSON-8
18+
-
全新原裝，優(yōu)勢庫存

BSC0908NS
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
11630
INFINEON
原廠原裝
18+
-
原裝正品，優(yōu)勢供應

BSC0908NS
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業(yè)執(zhí)照
22756
INFINEON/英飛凌
SuperSO8
22+
-

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功能描述
MOSFET N-CH 34V 49A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSC0908NS 技術參數

BSC0906NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta），63A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:870pF @ 15V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC0904NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta），78A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1100pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），37W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC0904NSI 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta），78A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 15V 功率 - 最大值:37W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC0902NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:23A（Ta），100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），48W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC0902NSI 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:23A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC0925NDATMA1 BSC093N04LSGATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 BSC094N03S G BSC094N06LS5ATMA1 BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSTATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 BSC0993NDATMA1 BSC0996NSATMA1 BSC100N03LSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 BSC105N10LSFGATMA1 BSC106N025S G BSC109N10NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1