您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > B字母型號搜索 > B字母第1509頁 >

BSC130P03LSGAUMA1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSC130P03LSGAUMA1
    BSC130P03LSGAUMA1

    BSC130P03LSGAUMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • BSC130P03LSGAUMA1
    BSC130P03LSGAUMA1

    BSC130P03LSGAUMA1

  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 6000

  • 英飛凌

  • NA

  • 19+

  • -
  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
BSC130P03LSGAUMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • P-KANAL - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
BSC130P03LSGAUMA1 技術參數(shù)
  • BSC130P03LS G 功能描述:MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Ta),22.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 22.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):73.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3670pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC12DN20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.3A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):680pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):50W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 5.7A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC12DN20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 5.7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):680pF @ 100V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC123N10LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10.6A(Ta),71A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12.3 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 72μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):68nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4900pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC123N08NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Ta),55A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12.3 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 33μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1870pF @ 40V 功率 - 最大值:66W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC16DN25NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 BSC196N10NSGATMA1 BSC200P03LSGAUMA1 BSC205N10LS G BSC22DN20NS3 G BSC22DN20NS3GATMA1 BSC240N12NS3 G BSC252N10NSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 BSC320N20NS3 G BSC320N20NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1
配單專家

在采購BSC130P03LSGAUMA1進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買BSC130P03LSGAUMA1產(chǎn)品風險,建議您在購買BSC130P03LSGAUMA1相關產(chǎn)品前務必確認供應商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責聲明:以上所展示的BSC130P03LSGAUMA1信息由會員自行提供,BSC130P03LSGAUMA1內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網(wǎng)不承擔任何責任。

買賣IC網(wǎng) (m.beike2008.cn) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號