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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
328885
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天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
328885
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北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：13969210552
地址：中國(guó)上海
328885
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優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

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深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
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聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室
328885
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現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

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深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)中心3204室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
328885
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優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

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深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
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原廠封裝
最新批號(hào)
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一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

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中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室
3000
英飛凌
TO-3P
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原裝現(xiàn)貨

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功能描述
DIFFERENTIATED MOSFETS
制造商
infineon technologies
系列
*
零件狀態(tài)
在售
標(biāo)準(zhǔn)包裝
5,000

BSC014N06NSTATMA1 技術(shù)參數(shù)

BSC014N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Ta），100A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 120μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:89nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6500pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），156W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.45 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC014N06NS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.45 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 120μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:89nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6500pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC014N04LSTATMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC014N04LSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.45 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4000pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 FL（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC014N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A（Ta），100A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4300pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），96W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:SuperSO8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC016N06NSTATMA1 BSC017N04NS G BSC017N04NSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LSI BSC018NE2LSIATMA1 BSC019N02KSGAUMA1 BSC019N04LSATMA1 BSC019N04NSGATMA1 BSC020N025S G BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03MSGATMA1 BSC022N03S BSC022N03SG BSC022N04LSATMA1 BSC024N025S G BSC024NE2LS

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