123,123,123

BSC026NE2LS5ATMA1
現(xiàn)貨
上海航霆電子技術(shù)有限公司
上海航霆電子技術(shù)有限公司
聯(lián)系人：林生18701789587
電話：0755-8374259418701789587
地址：上海徐匯區(qū)漕溪路222號航天大廈16層
5000
Infineon
SOP
23+
-
原裝正品可開增票

BSC026NE2LS5ATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
2391
INFINEON
con
24+
-
場效應(yīng)管

BSC026NE2LS5ATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
328709
INFINEON
con
24+
-
優(yōu)勢庫存，原裝正品

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北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
21+
-
質(zhì)量保真，價(jià)格實(shí)惠，假一罰十

BSC026NE2LS5ATMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
328709
INFINEON
con
24+
-
優(yōu)勢庫存，原裝正品

BSC026NE2LS5ATMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
328709
INFINEON
con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

BSC026NE2LS5ATMA1
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：張經(jīng)理
電話：18653422656
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
2391
INFINEON
con
24+
-
場效應(yīng)管

BSC026NE2LS5ATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：張經(jīng)理
電話：18653422656
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
328709
INFINEON
con
24+
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BSC026NE2LS5ATMA1
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：張經(jīng)理
電話：18653422656
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
328709
INFINEON
con
24+
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BSC026NE2LS5ATMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

BSC026NE2LS5ATMA1
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯(lián)系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號富源商貿(mào)中心D棟601
5000
INF
ORIGONAL
16+
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功能描述
MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
制造商
infineon technologies
系列
OptiMOS??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET (Metal Oxide)
漏源極電壓（Vdss）
25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
24A（Ta），82A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
2.6 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
16nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
1100pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
*
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝
PG-TDSON-8
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

BSC026NE2LS5ATMA1 技術(shù)參數(shù)

BSC026N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 115μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC026N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC026N02KSGAUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Ta），100A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 200μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:52.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7800pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），78W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 50A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC026N02KS G 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 50A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 200μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:52.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7800pF @ 10V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC025N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A（Ta）. 100A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:98nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7600pF @ 15V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC030N03MSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 BSC030P03NS3 G BSC030P03NS3GAUMA1 BSC031N06NS3GATMA1 BSC032N03S BSC032N03SG BSC032N04LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 BSC034N03LSGATMA1 BSC034N06NSATMA1 BSC035N04LSGATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 BSC037N025S G BSC037N08NS5ATMA1 BSC039N06NS

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