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BSC010NE2LSIXT

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  • 封裝
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  • 功能描述
  • MOSFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSC010NE2LSIXT 技術(shù)參數(shù)
  • BSC010NE2LSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:Digi-Reel? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Ta），100A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:59nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4200pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），96W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.05 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC010NE2LSI 功能描述:MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Ta），100A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:59nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4200pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），96W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.05 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC010NE2LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:39A（Ta），100A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:64nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4700pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），96W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC010NE2LS 功能描述:MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:39A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:64nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4700pF @ 12V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC010N04LSTATMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:5,000 BSC014N04LS BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSTATMA1 BSC014N06NS BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSTATMA1 BSC014NE2LSI BSC014NE2LSIATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1 BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03MSGATMA1 BSC016N04LS G BSC016N04LSGATMA1 BSC016N06NS BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSTATMA1 BSC017N04NS G
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