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BCR 133S H6444

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  • BCR 133S H6444
    BCR 133S H6444

    BCR 133S H6444

  • 深圳市新良宇電子有限公司
    深圳市新良宇電子有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-8323763213302457603

    地址：福田區(qū)振興路華勻大廈221室

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  • Infineon Technologies

  • TRANS NPN DGTL 50V 1

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  • BCR 133S H6444
    BCR 133S H6444

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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    聯(lián)系人：唐先生

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BCR 133S H6444 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 AF DIGITAL TRANSISTOR
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 配置
  • 晶體管極性
  • NPN/PNP
  • 典型輸入電阻器
  • 典型電阻器比率
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 200 mA
  • 最大工作頻率
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 50 V
  • 集電極連續(xù)電流
  • 150 mA
  • 峰值直流集電極電流
  • 功率耗散
  • 200 mW
  • 最大工作溫度
  • 封裝
  • Reel
BCR 133S H6444 技術(shù)參數(shù)
  • BCR 133L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 頻率 - 躍遷:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSLP-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15,000 BCR 133F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 頻率 - 躍遷:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSFP-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR 133F B6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 頻率 - 躍遷:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSFP-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30,000 BCR 133 B6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 頻率 - 躍遷:130MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30,000 BCR 129T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR 141L3 E6327 BCR 141S E6727 BCR 141S H6727 BCR 141T E6327 BCR 142F E6327 BCR 142L3 E6327 BCR 142T E6327 BCR 146F E6327 BCR 146L3 E6327 BCR 146T E6327 BCR 148 B6327 BCR 148F B6327 BCR 148F E6327 BCR 148L3 E6327 BCR 148S H6827 BCR 148T E6327 BCR 148W H6433 BCR 149F E6327
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