BCR 162F E6327

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BCR 162F E6327
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
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功能描述
TRANSISTOR PNP DGTL AF TSFP-3
RoHS
是
類別
分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
系列
-
標準包裝
10,000
系列
-
晶體管類型
NPN - 預偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）
47k
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）
47k
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
70 @ 5mA，5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
300mV @ 500µA，10mA
電流 - 集電極截止（最大）
-
頻率 - 轉(zhuǎn)換
100MHz
功率 - 最大
250mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
供應商設備封裝
PG-SOT323-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SP000756242

BCR 162F E6327 技術參數(shù)

BCR 162 B6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:4.7k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:30,000 BCR 158T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:PG-SC-75 標準包裝:3,000 BCR 158L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:PG-TSLP-3 標準包裝:15,000 BCR 158F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:PG-TSFP-3 標準包裝:3,000 BCR 158 B6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:30,000 BCR 169L3 E6327 BCR 169T E6327 BCR 179F E6327 BCR 179L3 E6327 BCR 179T E6327 BCR 183 B6327 BCR 183F E6327 BCR 183L3 E6327 BCR 183T E6327 BCR 185F E6327 BCR 185L3 E6327 BCR 185T E6327 BCR 189F E6327 BCR 189L3 E6327 BCR 189T E6327 BCR 191F E6327 BCR 191L3 E6327 BCR 191T E6327