B82477G4652M

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封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

B82477G4652M
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
EPCOS (TDK)
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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功能描述
5.6μH Shielded Wirewound Inductor 6.7A 14.2 mOhm Max Nonstandard
制造商
epcos (tdk)
系列
B82477G4
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
有效
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵氧體
電感
5.6μH
容差
±20%
額定電流
6.7A
電流 - 飽和值
8.4A
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
14.2 毫歐最大
不同頻率時(shí)的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-55°C ~ 125°C
頻率 - 測試
100kHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
非標(biāo)準(zhǔn)
大小/尺寸
0.484" 長 x 0.484" 寬（12.30mm x 12.30mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.236"（6.00mm）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
800

B82477G4652M 技術(shù)參數(shù)

B82477G4562M 功能描述:5.6μH Shielded Wirewound Inductor 6.7A 14.2 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:5.6μH 容差:±20% 額定電流:6.7A 電流 - 飽和值:8.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:14.2 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.484" 長 x 0.484" 寬（12.30mm x 12.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82477G4474M 功能描述:470μH Shielded Wirewound Inductor 800mA 790 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:470μH 容差:±20% 額定電流:800mA 電流 - 飽和值:950mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:790 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.484" 長 x 0.484" 寬（12.30mm x 12.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82477G4473M 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 82 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:47μH 容差:±20% 額定電流:2.5A 電流 - 飽和值:3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:82 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.504" 長 x 0.504" 寬（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82477G4472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 6.8A 14 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:6.8A 電流 - 飽和值:8.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:14 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.504" 長 x 0.504" 寬（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82477G4392M 功能描述:3.9μH Shielded Wirewound Inductor 7.5A 12.5 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:3.9μH 容差:±20% 額定電流:7.5A 電流 - 飽和值:9.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:12.5 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.484" 長 x 0.484" 寬（12.30mm x 12.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82477P2103M000 B82477P2104M B82477P2104M000 B82477P2105M B82477P2105M000 B82477P2152M B82477P2152M000 B82477P2153M B82477P2153M000 B82477P2154M B82477P2154M000 B82477P2222M B82477P2222M000 B82477P2223M B82477P2223M000 B82477P2224M B82477P2224M000 B82477P2332M