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B82477P2103M

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  • B82477P2103M
    B82477P2103M

    B82477P2103M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • B82477P2103M000
    B82477P2103M000

    B82477P2103M000

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 576

  • EPCOS

  • -

  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
B82477P2103M PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 12X12 10UH
B82477P2103M 技術(shù)參數(shù)
  • B82477P2102M000 功能描述:FIXED IND 1UH 9.25A 8 MOHM SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477P2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:9.25A 電流 - 飽和值:10A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:8 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 供應(yīng)商器件封裝:- 大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.256"（6.50mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:600 B82477P2102M 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 9.25A 8 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477P2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:9.25A 電流 - 飽和值:10A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:8 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.256"（6.50mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:600 B82477G4823M 功能描述:82μH Shielded Wirewound Inductor 1.9A 145 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:82μH 容差:±20% 額定電流:1.9A 電流 - 飽和值:2.25A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:145 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.484" 長 x 0.484" 寬（12.30mm x 12.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82477G4702M 功能描述:7μH Shielded Wirewound Inductor Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:7μH 容差:±20% 額定電流:- 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:- 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.484" 長 x 0.484" 寬（12.30mm x 12.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 B82477G4684M 功能描述:680μH Shielded Wirewound Inductor 680mA 1.24 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:680μH 容差:±20% 額定電流:680mA 電流 - 飽和值:780mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.24 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.484" 長 x 0.484" 寬（12.30mm x 12.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82477P2154M B82477P2154M000 B82477P2222M B82477P2222M000 B82477P2223M B82477P2223M000 B82477P2224M B82477P2224M000 B82477P2332M B82477P2332M000 B82477P2333M B82477P2333M000 B82477P2334M B82477P2334M000 B82477P2472M B82477P2472M000 B82477P2473M B82477P2473M000
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