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B82464G2222M

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  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
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  • B82464G2222M
    B82464G2222M

    B82464G2222M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共3條 
  • 1
B82464G2222M PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 10X10(LOW) 2,2UH
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 10X10 2.2UH 4.0A
B82464G2222M 技術(shù)參數(shù)
  • B82464G2202M 功能描述:2μH Shielded Wirewound Inductor 4.5A 14 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2μH 容差:±20% 額定電流:4.5A 電流 - 飽和值:5.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:14 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2154M 功能描述:150μH Shielded Wirewound Inductor 610mA 840 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150μH 容差:±20% 額定電流:610mA 電流 - 飽和值:590mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:840 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2153M 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 90 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:15μH 容差:±20% 額定電流:1.8A 電流 - 飽和值:1.85A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:90 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2152M 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:- 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:- 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2122M 功能描述:1.2μH Shielded Wirewound Inductor 5.6A 9 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.2μH 容差:±20% 額定電流:5.6A 電流 - 飽和值:6.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:9 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2474M B82464G2682M B82464G2683M B82464G2752M B82464G2821M B82464G4102M B82464G4103M B82464G4104M B82464G4105M B82464G4152M B82464G4153M B82464G4154M B82464G4222M B82464G4223M B82464G4224M B82464G4273M B82464G4273M000 B82464G4332M
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