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B82464G2474M

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  • 廠商
  • 封裝
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  • 價(jià)格
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  • B82464G2474M
    B82464G2474M

    B82464G2474M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共3條 
  • 1
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  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 10X10 470UH
B82464G2474M 技術(shù)參數(shù)
  • B82464G2473M 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 1.12A 235 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:1.12A 電流 - 飽和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:235 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 33 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:3.1A 電流 - 飽和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:33 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2392M 功能描述:3.9μH Shielded Wirewound Inductor 3.45A 27 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.9μH 容差:±20% 額定電流:3.45A 電流 - 飽和值:3.45A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:27 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2334M 功能描述:330μH Shielded Wirewound Inductor 410mA 1.6 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:330μH 容差:±20% 額定電流:410mA 電流 - 飽和值:400mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.6 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2333M 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 195 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:33μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.25A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:195 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G4153M B82464G4154M B82464G4222M B82464G4223M B82464G4224M B82464G4273M B82464G4273M000 B82464G4332M B82464G4333M B82464G4334M B82464G4472M B82464G4473M B82464G4474M B82464G4682M B82464G4683M B82464G4684M B82464G4821M B82464G4821M000
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