參數(shù)資料
型號(hào)： AX9902MSA
英文描述： 2N and 2P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
中文描述： 2N和二路溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 799K
代理商： AX9902MSA
AF9902M
2N and 2P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
V
DS
Drain-Source Voltage
V
GS
Gate-Source Voltage
Anachip Corp.
www.anachip.com.tw Rev. 1.0 Sep 22, 2005
2/8
N-Channel P-Channel
30
±
12
4.3
3.4
20
1.38
0.01
-55 to 150
-55 to 150
Units
-30
±
12
-3.3
-2.6
-20
V
T
A
=25oC
I
D
Continuous Drain Current
(Note 1)
T
A
=70oC
Pulsed Drain Current
(Note 2)
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
A
I
DM
A
W
T
A
=25oC
P
D
W/oC
oC
oC
T
STG
T
J
Thermal Data
Symbol
R
θ
JA
Electrical Characteristics
(T
J
=25oC unless otherwise specified)
Parameter
Value
90
Units
oC/W
Thermal Resistance Junction-Ambient
(Note 1)
Max.
Limits
Min.
30
-30
Symbol
Parameter
Test Conditions
CH
N
P
Typ.
-
-
Max.
-
-
Unit
V
GS
=0V, I
D
=250uA
V
GS
=0V, I
D
=-250uA
Reference to 25 oC,
I
D
=1mA
Reference to 25 oC,
I
D
=-1mA
V
GS
=10V, I
D
=5A
V
GS
=4.5V, I
D
=4A
V
GS
=2.5V, I
D
=2A
V
GS
=-10V, I
D
=-4A
V
GS
=-4.5V, I
D
=-3A
V
GS
=-2.5V, I
D
=-2A
V
DS
= V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
=5V, I
D
=4A
V
DS
=-5V, I
D
=-3A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
BV
DSS
Drain-Source breakdown Voltage
V
N
-
0.03
-
BV
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
P
-
-0.02
-
V/oC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
50
60
70
90
120
-
-
-
-
1
25
-1
-25
±
100
±
100
15
16
-
-
-
-
N
R
DS(ON)
Static Drain-Source
On-Resistance
(Note 3)
P
m
N
P
N
P
0.5
-0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS(th)
Gate-Threshold Voltage
V
13
8
-
-
-
-
-
-
9
10
1.6
2
4
3
g
fs
Forward Transconductance
S
T
J
=25oC
T
J
=70oC
T
J
=25oC
T
J
=70oC
N
I
DSS
Drain-Source Leakage
Current
P
uA
N
P
N
P
N
P
N
P
I
GSS
Gate-Source Leakage
V
GS
=
±
12V
nA
Q
g
Total Gate Charge
(Note 3)
Q
gs
Gate-Source Charge
Q
gd
Gate-Drain (“Miller”) Charge
N-Channel
V
DS
=24V, V
GS
=4.5V
I
D
=4A
P-Channel
V
DS
=-24V, V
GS
=-4.5V
I
D
=-3A
nC
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