參數(shù)資料
型號(hào)： AUIRLS4030-7TRR
元件分類： JFETs
英文描述： 190 A, 100 V, 0.0039 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, D2PAK-7
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大小： 339K
代理商： AUIRLS4030-7TRR
AUIRLS4030-7P
www.irf.com
3
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 6. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
R
D
S
(o
n)
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
O
n
R
es
is
ta
nc
e
(N
or
m
al
iz
ed
)
ID = 110A
VGS = 10V
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
100000
C
,C
ap
ac
ita
nc
e
(p
F
)
VGS = 0V,
f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
1
2
3
4
5
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I D
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
≤60μs PULSE WIDTH
0
20406080
100
120
QG, Total Gate Charge (nC)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
G
S
,G
at
e-
to
-S
ou
rc
e
V
ol
ta
ge
(V
)
VDS= 80V
VDS= 50V
ID= 110A
0.1
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
I D
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
VGS
TOP
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.7V
BOTTOM
2.5V
≤60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
2.5V
0.1
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
I D
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
2.5V
≤60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
TOP
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.7V
BOTTOM
2.5V
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PDF描述
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