參數(shù)資料
型號(hào)： AUIRLS4030-7TRL
元件分類： JFETs
英文描述： 190 A, 100 V, 0.0039 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, D2PAK-7
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大?。?/td> 339K
代理商： AUIRLS4030-7TRL
AUIRLS4030-7P
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 11. Typical COSS Stored Energy
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 12. Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I S
D
,R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
I D
,
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ , Temperature ( °C )
95
100
105
110
115
120
125
V
(B
R
)D
S
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
B
re
ak
do
w
n
V
ol
ta
ge
(V
)
Id = 5mA
-20
0
20
40
60
80
100
120
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
E
ne
rg
y
(μ
J)
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
E
A
S
,S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
12A
16A
BOTTOM 110A
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
DC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AUIRLS4030 180 A, 100 V, 0.0043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
AUIRLS4030TRL 180 A, 100 V, 0.0043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
AUIRLSL4030 180 A, 100 V, 0.0043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
AUIRLS4030TRR 180 A, 100 V, 0.0043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
AWSCR-FREQ-MGS-C15-T CERAMIC RESONATOR, 2 MHz - 8 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AUIRLS4030-7TRR 功能描述:MOSFET 100V 190A 3.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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AUIRLS4030TRR 功能描述:MOSFET 100V 180A 4.3 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
AUIRLS8409-7P 功能描述:MOSFET NCH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:240A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:0.75 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:266nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:16488pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
AUIRLS8409-7TRL 功能描述:MOSFET NCH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:240A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:0.75 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:266nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:16488pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800
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