參數(shù)資料
型號： AUIRLR120N
元件分類： JFETs
英文描述： 10 A, 100 V, 0.225 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 266K
代理商： AUIRLR120N
AUIRLR120N
www.irf.com
7
QG
QGS
QGD
VG
Charge
5.0 V
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V(BR)DSS
IAS
RG
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
+
- VDD
DRIVER
A
15V
10V
0
40
80
120
160
200
25
50
75
100
125
150
175
J
E
,
S
in
gl
ePu
ls
eAv
al
anc
he
E
ner
gy
(m
J)
AS
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
I
TOP
2.4A
4.2A
BOTTOM 6.0A
D
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PDF描述
AUIRLR2703TRR 20 A, 30 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
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AUIRLR120NTR 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
AUIRLR120NTRL 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
AUIRLR120NTRR 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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