參數(shù)資料
型號： AUIRFS3006-7P
元件分類： JFETs
英文描述： 240 A, 60 V, 0.0021 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263CB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-7
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 239K
代理商： AUIRFS3006-7P
AUIRFS3006-7P
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 11. Typical COSS Stored Energy
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 12. Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
1.0
10
100
1000
I S
D
,R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ , Temperature ( °C )
55
60
65
70
75
80
V
(B
R
)D
S
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
B
re
ak
do
w
n
V
ol
ta
ge
(V
)
Id = 5mA
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
E
A
S
,S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
35A
70A
BOTTOM 168A
0
102030405060
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
E
ne
rg
y
(μ
J)
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
50
100
150
200
250
300
350
I D
,
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
Limited By Package
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
DC
LIMITED BY PACKAGE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AUIRFZ34N 29 A, 55 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
AUIRGP35B60PD-E 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
AUIRGP50B60PD1 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AC
AVT-51663-BLKG 0 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
AVT-51663-TR1G 0 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
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參數(shù)描述
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AUIRFS3006TRR 功能描述:MOSFET 60V 270A 2.5 mOhm Automotive MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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