參數(shù)資料
型號(hào)： AUIRFS3004TRR
元件分類： JFETs
英文描述： 195 A, 40 V, 0.00175 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 287K
代理商： AUIRFS3004TRR
AUIRFS/SL3004
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 11. Typical COSS Stored Energy
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 12. Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I S
D
,R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ , Temperature ( °C )
40
42
44
46
48
50
V
(B
R
)D
S
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
B
re
ak
do
w
n
V
ol
ta
ge
(V
)
Id = 5mA
-5
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
E
ne
rg
y
(μ
J)
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
E
A
S
,S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
30A
54A
BOTTOM 195A
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
50
100
150
200
250
300
350
I D
,
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
Limited By Package
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
DC
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PDF描述
AUIRFS3006TRR 195 A, 60 V, 0.0025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
AUIRFS3006TRL 195 A, 60 V, 0.0025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
AUIRFS3006 195 A, 60 V, 0.0025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
AUIRFS3107-7TRR 240 A, 75 V, 0.0026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263CB
AUIRFS3107-7TRL 240 A, 75 V, 0.0026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263CB
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