參數(shù)資料
型號： AUIRFR5410TR
元件分類： JFETs
英文描述： 13 A, 100 V, 0.205 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 260K
代理商： AUIRFR5410TR
AUIRFR5410
6
www.irf.com
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
Fig 10b. Switching Time Waveforms
VDS
-10V
Pulse Width ≤ 1 s
Duty Factor ≤ 0.1 %
RD
VGS
VDD
RG
D.U.T.
+
-
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
td(off) tf
25
50
75
100
125
150
0
3
6
9
12
15
T , Case Temperature ( C)
-I
,Drai
nCurrent
(A)
°
C
D
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
1
2
J
DM
thJC
C
P
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
Thermal
Response
(Z
)
1
th
JC
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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PDF描述
AUIRFR5410 13 A, 100 V, 0.205 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
AUIRFR5410TRR 13 A, 100 V, 0.205 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
AUIRFR5505TRR 18 A, 55 V, 0.11 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
AUIRFU5505 18 A, 55 V, 0.11 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
AUIRFR5505TRL 18 A, 55 V, 0.11 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
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AUIRFR5505TR 功能描述:MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 110mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
AUIRFR5505TRL 功能描述:MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 110mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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