參數(shù)資料
型號(hào)： AUIRFR5305
元件分類： JFETs
英文描述： 31 A, 55 V, 0.065 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 12/13頁(yè)
文件大小： 300K
代理商： AUIRFR5305
AUIRFR/U5305
8
www.irf.com
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
Fig 14. For P-Channel HEXFETS
+
-
+
-
RG
VDD
dv/dt controlled by RG
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
* Reverse Polarity for P-Channel
** Use P-Channel Driver for P-Channel Measurements
*
VGS*
**
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤ 5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
VGS=10V
VDD
ISD
Driver Gate Drive
D.U.T. ISD Waveform
D.U.T. VDS Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
[ ]
*** VGS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
[
] ***
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AUIRF5305TRR 31 A, 55 V, 0.065 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
AUIRFR5410TRL 13 A, 100 V, 0.205 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
AUIRFR5410TR 13 A, 100 V, 0.205 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
AUIRFR5410 13 A, 100 V, 0.205 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
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參數(shù)描述
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