EP Cell" />
參數(shù)資料
型號: ATTINY2313V-10SUR
廠商: Atmel
文件頁數(shù): 134/225頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC MCU AVR 2K FLASH 20SOIC
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: tinyAVR Introduction
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1,000
系列: AVR® ATtiny
核心處理器: AVR
芯體尺寸: 8-位
速度: 10MHz
連通性: SPI,UART/USART
外圍設(shè)備: 欠壓檢測/復(fù)位,POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 18
程序存儲器容量: 2KB(1K x 16)
程序存儲器類型: 閃存
EEPROM 大小: 128 x 8
RAM 容量: 128 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 1.8 V ~ 5.5 V
振蕩器型: 內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬)
包裝: 帶卷 (TR)
其它名稱: ATTINY2313V-10SUR-ND
ATTINY2313V-10SURTR
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2009 Microchip Technology Inc.
DS41341E-page 219
PIC16F72X/PIC16LF72X
Program Flash Memory
D130
EP
Cell Endurance
100
1k
E/W
Temperature during programming:
10°C
≤ TA ≤ 40°C
D131
VDD for Read
VMIN
——
V
Voltage on MCLR/VPP during
Erase/Program
8.0
9.0
V
Temperature during programming:
10°C
≤ TA ≤ 40°C
VDD for Bulk Erase
2.7
3
V
Temperature during programming:
10°C
≤ TA ≤ 40°C
D132
VPEW
VDD for Write or Row Erase
2.7
V
VMIN = Minimum operating voltage
VMAX = Maximum operating
voltage
IPPPGM
Current on MCLR/VPP during
Erase/Write
——
5.0
mA
Temperature during programming:
10°C
≤ TA ≤ 40°C
IDDPGM
Current on VDD during Erase/
Write
5.0
mA
Temperature during programming:
10°C
≤ TA ≤ 40°C
D133
TPEW
Erase/Write cycle time
2.8
ms
Temperature during programming:
10°C
≤ TA ≤ 40°C
D134
TRETD
Characteristic Retention
40
Year
Provided no other specifications
are violated
VCAP Capacitor Charging
D135
Charging current
200
μA
D135A
Source/sink capability when
charging complete
—0.0
mA
23.4
DC Characteristics: PIC16F72X/PIC16LF72X-I/E (Continued)
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature -40°C
≤ TA ≤ +85°C for industrial
-40°C
≤ TA ≤ +125°C for extended
Param
No.
Sym.
Characteristic
Min.
Typ
Max.
Units
Conditions
Legend:
TBD = To Be Determined
*
These parameters are characterized but not tested.
Data in “Typ” column is at 3.0V, 25°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance only and are
not tested.
Note 1: In RC oscillator configuration, the OSC1/CLKIN pin is a Schmitt Trigger input. It is not recommended to use an external
clock in RC mode.
2: Negative current is defined as current sourced by the pin.
3: The leakage current on the MCLR pin is strongly dependent on the applied voltage level. The specified levels represent
normal operating conditions. Higher leakage current may be measured at different input voltages.
4: Including OSC2 in CLKOUT mode.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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ATTINY2313V-8MI 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:8-bit AVR Microcontroller with 2K Bytes In-System Programmable Flash
ATTINY2313V-8MJ 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:8-bit AVR Microcontroller with 2K Bytes In-System Programmable Flash
ATTINY2313V-8PI 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:8-bit AVR Microcontroller with 2K Bytes In-System Programmable Flash
ATTINY2313V-8PJ 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:8-bit AVR Microcontroller with 2K Bytes In-System Programmable Flash