The Atmel
參數(shù)資料
型號： ATMEGA128A-AUR
廠商： Atmel
文件頁數(shù)： 124/386頁
文件大?。?/td> 0K
描述： MCU AVR 128K FLASH 16MHZ 64TQFP
產(chǎn)品培訓模塊： megaAVR Introduction
標準包裝： 1,000
系列： AVR® ATmega
核心處理器： AVR
芯體尺寸： 8-位
速度： 16MHz
連通性： EBI/EMI，I²C，SPI，UART/USART
外圍設備： 欠壓檢測/復位，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 53
程序存儲器容量： 128KB（64K x 16）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大小： 4K x 8
RAM 容量： 4K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 8x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 64-TQFP
包裝： 帶卷 (TR)
配用： ATSTK600-RC09-ND - STK600 ROUTING CARD AVR
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21
8151H–AVR–02/11
ATmega128A
Figure 7-3.
On-chip Data SRAM Access Cycles
7.3
EEPROM Data Memory
The AtmelAVRATmega128A contains 4Kbytes of data EEPROM memory. It is organized as a
separate data space, in which single bytes can be read and written. The EEPROM has an
endurance of at least 100,000 write/erase cycles. The access between the EEPROM and the
CPU is described in the following, specifying the EEPROM Address Registers, the EEPROM
Data Register, and the EEPROM Control Register.
“Memory Programming” on page 291 contains a detailed description on EEPROM programming
in SPI, JTAG, or Parallel Programming mode
7.3.1
EEPROM Read/Write Access
The EEPROM access registers are accessible in the I/O space.
The write access time for the EEPROM is given in Table 7-2. A self-timing function, however,
lets the user software detect when the next byte can be written. If the user code contains instruc-
tions that write the EEPROM, some precautions must be taken. In heavily filtered power
supplies, V
CC is likely to rise or fall slowly on Power-up/down. This causes the device for some
period of time to run at a voltage lower than specified as minimum for the clock frequency used.
See “Preventing EEPROM Corruption” on page 21. for details on how to avoid problems in these
situations.
In order to prevent unintentional EEPROM writes, a specific write procedure must be followed.
Refer to the description of the EEPROM Control Register for details on this.
When the EEPROM is read, the CPU is halted for four clock cycles before the next instruction is
executed. When the EEPROM is written, the CPU is halted for two clock cycles before the next
instruction is executed.
7.3.2
EEPROM Write During Power-down Sleep Mode
When entering Power-down sleep mode while an EEPROM write operation is active, the
EEPROM write operation will continue, and will complete before the write access time has
passed. However, when the write operation is completed, the Oscillator continues running, and
as a consequence, the device does not enter Power-down entirely. It is therefore recommended
to verify that the EEPROM write operation is completed before entering Power-down.
7.3.3
Preventing EEPROM Corruption
During periods of low V
CC, the EEPROM data can be corrupted because the supply voltage is
too low for the CPU and the EEPROM to operate properly. These issues are the same as for
board level systems using EEPROM, and the same design solutions should be applied.
clk
WR
RD
Data
Address
Address valid
T1
T2
T3
Compute Address
Read
Write
CPU
Memory access instruction
Next instruction
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PDF描述
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參數(shù)描述
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ATMEGA128A-MNR 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 128K Flash 16MHz 105 degree C Green RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
ATmega128A-MU 功能描述:8位微控制器 -MCU 128K Flash 4K EEPROM 4K SRAM 53 IO Pins RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
ATMEGA128A-MUR 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 128K FLSH-16MHz IND TEMP 5V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
ATMEGA128CAN11 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:DEBUG AVR APPLICATIONS USING JTAG OR DEBUGWIRE INTERFACE
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