參數(shù)資料
型號(hào): ATF35376
英文描述: 2-18 GHz Low Noise Pseudomorphic HEMT
中文描述: 2-18 GHz的低噪聲假晶HEMT器件
文件頁(yè)數(shù): 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 1114K
代理商: ATF35376
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ATF35176 2-18 GHz Low Noise Pseudomorphic HEMT
ATF35576 TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20MA I(DSS) | MICRO-XVAR
ATF36163BLK TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 3V V(BR)DSS | 40MA I(D) | SOT-363
ATF44100 TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 800MA I(DSS) | CHIP
ATF44101 TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 800MA I(DSS) | RFMOD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ATF35576 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20MA I(DSS) | MICRO-XVAR
ATF36077 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:2-18 GHz Ultra Low Noise Pseudomorphic HEMT
ATF-36077 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:2-18 GHz Ultra Low Noise Pseudomorphic HEMT
ATF-36077-G 制造商:Avago Technologies 功能描述:ATF-36077-G
ATF-36077-STR 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Frequency RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: