參數(shù)資料
型號: ATF-54143-BLK
廠商: AGILENT TECHNOLOGIES INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝: PLASTIC, SC-70, 4 PIN
文件頁數(shù): 9/17頁
文件大小: 212K
代理商: ATF-54143-BLK
For product information and a complete list of Agilent
contacts and distributors, please go to our web site.
www.agilent.com/semiconductors
E-mail: SemiconductorSupport@agilent.com
Data subject to change.
Copyright 2004-2005 Agilent Technologies, Inc.
Obsoletes 5989-1922EN
September 15, 2005
5989-3751EN
Tape Dimensions and Product Orientation
Description
Symbol
Size (mm)
Size (inches)
Cavity
Length
A
o
2.40
± 0.10
0.094
± 0.004
Width
B
o
2.40
± 0.10
0.094
± 0.004
Depth
K
o
1.20
± 0.10
0.047
± 0.004
Pitch
P
4.00
± 0.10
0.157
± 0.004
Bottom Hole Diameter
D
1
1.00 + 0.25
0.039 + 0.010
Perforlation
Diameter
D
1.50 + 0.10
0.061 + 0.002
Pitch
P
O
4.00
± 0.10
0.157
± 0.004
Position
E
1.75
± 0.10
0.069
± 0.004
Carrier Tape
Width
W
8.00 + 0.30 - 0.10
0.315 + 0.012
Thickness
t
1
0.254
± 0.02
0.0100
± 0.0008
Cover Tape
Width
C
5.40
± 0.010
0.205 + 0.004
Thickness
T
t
0.062
± 0.001
0.0025
± 0.0004
Distance
Cavity to Perforation
F
3.50
± 0.05
0.138
± 0.002
(Width Direction)
Cavity to Perforation
P
2
2.00
± 0.05
0.079
± 0.002
(Length Direction)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ATF-54143-BLKG C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-54143-TR1G C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-54143-TR2 C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-54143-TR2G C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-541M4-TR1G X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ATF-54143-BLKG 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Single Voltage RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
ATF-54143-TR1 功能描述:IC TRANS E-PHEMT 2GHZ SOT-343 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
ATF-54143-TR1G 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Single Voltage RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
ATF-54143-TR2 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package
ATF-54143-TR2G 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Single Voltage RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: