參數(shù)資料
型號： ATF-52189-BLK
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 13/18頁
文件大?。?/td> 2247K
代理商： ATF-52189-BLK
4
Gamma Load and Source at Optimum OIP3 and P1dB Tuning Conditions
The device’s optimum OIP3 and P1dB measurements were determined using a Maury Load Pull System at
4.5V, 200 mA quiesent bias.
Typical Gammas at Optimum OIP3 [1]
Freq
Gamma Source
Gamma Load
OIP3
Gain
P1dB
PAE
(GHz)
Mag
Ang (deg)
Mag
Ang (deg)
(dBm)
(dB)
(dBm)
(%)
0.9
0.7511
-132.82
0.6444
-157.38
42.0
16.5
27.2
49.7
2.0
0.7577
-131.31
0.3236
-176.55
42.0
15.7
26.8
54.9
2.4
0.7625
-128.49
0.2665
-148.09
41.0
13.6
26.5
49.5
3.9
0.7432
-94.91
0.4125
-98.27
40.0
10.8
27.3
49.1
Typical Gammas at Optimum P1dB [1]
Freq
Gamma Source
Gamma Load
OIP3
Gain
P1dB
PAE
(GHz)
Mag
Ang (deg)
Mag
Ang (deg)
(dBm)
(dB)
(dBm)
(%)
0.9
0.7786
139.82
0.5494
-177.76
38.6
17.3
28.4
58.3
2.0
0.7052
-168.54
0.6981
-165.37
37.5
14.8
29.0
48.6
2.4
0.7117
-161.45
0.6624
-159.44
37.3
12.0
29.3
48.2
3.9
0.3379
-100.92
0.6151
-126.28
37.0
9.1
28.0
46.2
Note:
1. Typical describes additional product performance information that is not covered by the product warranty.
Figure 6. Typical IV Curve.
Vds (V)
Ids
(mA)
07
1
2
3
4
5
6
600
500
400
300
200
100
0
0.4V
0.5V
0.6V
0.7V
0.8V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ATF-52189-TR1 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-521P8-TR1 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
ATF-521P8-TR2 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
ATF-521P8-BLK C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
ATF-521P8-TR2G C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
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參數(shù)描述
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ATF-52189-TR2 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Hi gh Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
ATF-521P8 制造商:AVAGO 制造商全稱:AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 功能描述:High Linearity Enhancement Mode[1] Pseudomorphic 2x2 mm2 LPCC[3] Package
ATF-521P8-BLK 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
ATF-521P8-BLK 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor
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