參數(shù)資料
型號: AT90S1200-12PI
廠商: Atmel
文件頁數(shù): 38/71頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC MCU 1K FLSH 12MHZ IT 20DIP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 18
系列: AVR® 90S
核心處理器: AVR
芯體尺寸: 8-位
速度: 12MHz
連通性: SPI
外圍設(shè)備: POR,WDT
輸入/輸出數(shù): 15
程序存儲器容量: 1KB(512 x 16)
程序存儲器類型: 閃存
EEPROM 大小: 64 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 4 V ~ 6 V
振蕩器型: 內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 20-DIP(0.300",7.62mm)
包裝: 管件
43
AT90S1200
0838H–AVR–03/02
Reading the Signature Bytes
The algorithm for reading the signature bytes is as follows (refer to “Programming the
Flash” on page 39 for details on command and address loading):
1.
A: Load Command “0000 1000”.
2.
C: Load Address Low Byte ($00 - $02).
Set OE to “0”, and BS to “0”. The selected signature byte can now be read at DATA.
Set OE to “1”.
Parallel Programming
Characteristics
Figure 33. Parallel Programming Timing
Notes:
1. Use t
WLWH_CE for chip erase and tWLWH_PFB for programming the Fuse bits.
2. If tWLWH is held longer than tWLRH, no RDY/BSY pulse will be seen.
Table 17. Parallel Programming Characteristics, T
A = 25°C ± 10%, VCC = 5V ± 10%
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
V
PP
Programming Enable Voltage
11.5
12.5
V
I
PP
Programming Enable Current
250.0
A
tDVXH
Data and Control Setup before XTAL1 High
67.0
ns
t
XHXL
XTAL1 Pulse Width High
67.0
ns
t
XLDX
Data and Control Hold after XTAL1 Low
67.0
ns
tXLWL
XTAL1 Low to WR Low
67.0
ns
t
BVWL
BS Valid to WR Low
67.0
ns
t
RHBX
BS Hold after RDY/BSY High
67.0
ns
tWLWH
WR Pulse Width Low
67.0
ns
t
WHRL
WR High to RDY/BSY Low
20.0
ns
t
WLRH
WR Low to RDY/BSY High
0.5
0.7
0.9
ms
tXLOL
XTAL1 Low to OE Low
67.0
ns
t
OLDV
OE Low to DATA Valid
20.0
ns
t
OHDZ
OE High to DATA Tri-stated
20.0
ns
tWLWH_CE
WR Pulse Width Low for Chip Erase
5.0
10.0
15.0
ms
t
WLWH_PFB
WR Pulse Width Low for Programming the Fuse
Bits
1.0
1.5
1.8
ms
Data & Contol
(DATA, XA0/1, BS)
DATA
W
rite
Read
XTAL1
t
XHXL
t
WLWH
t
DVXH
t
XLOL
t
OLDV
t
WHRL
t
WLRH
WR
RDY/BSY
OE
t
XLDX
t
XLWL
t
RHBX
t
OHDZ
t
BVWL
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