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參數(shù)資料
| 型號： | AT45DB011B |
| 廠商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | 1-MEGABIT 2.7 VOLT ONLY DATA FLASH |
| 中文描述： | 1兆位2.7伏的唯一的數(shù)據(jù)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 27/32頁 |
| 文件大小： | 319K |
| 代理商： | AT45DB011B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁當(dāng)前第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁
27
AT45DB011B
1984H–DFLSH–10/04
Figure 2.
Algorithm for Randomly Modifying Data
Notes:
1. To preserve data integrity, each page of a DataFlash sector must be updated/rewritten at least once within every 10,000
cumulative page erase/program operations within that sector.
2. A Page Address Pointer must be maintained to indicate which page is to be rewritten. The Auto Page Rewrite command
must use the address specified by the Page Address Pointer.
3. Other algorithms can be used to rewrite portions of the Flash array. Low-power applications may choose to wait until 10,000
cumulative page erase/program operations have accumulated before rewriting all pages of the sector. See application note
AN-4 (“Using Atmel’s Serial DataFlash”) for more details.
Sector Addressing
START
MAIN MEMORY PAGE
to BUFFER TRANSFER
(53H)
INCREMENT PAGE
ADDRESS POINTER
(2)
Auto Page Rewrite
(2)
(58H)
END
provide address of
page to modify
If planning to modify multiple
bytes currently stored within
a page of the Flash array
MAIN MEMORY PAGE PROGRAM
(82H)
BUFFER WRITE
(84H)
BUFFER to MAIN
MEMORY PAGE PROGRAM
(83H)
PA8
PA7
PA6
PA5
PA4
PA3
PA2 - PA0
Sector
0
0
0
0
0
0
X
0
0
X
X
X
X
X
X
1
1
X
X
X
X
X
X
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT45DB011B-CC | 1-MEGABIT 2.7 VOLT ONLY DATA FLASH |
| AT45DB011B-CI | 1-MEGABIT 2.7 VOLT ONLY DATA FLASH |
| AT45DB011B-SC | 1-MEGABIT 2.7 VOLT ONLY DATA FLASH |
| AT45DB011B-SI | 1-MEGABIT 2.7 VOLT ONLY DATA FLASH |
| AT45DB011B-SU | 1-MEGABIT 2.7 VOLT ONLY DATA FLASH |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AT45DB011B_06 | 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:1-megabit 2.7-volt Only DataFlash |
| AT45DB011B-CC | 功能描述:閃存 DATAFLASH 1M SERIAL 2.7V CBGA COM TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| AT45DB011B-CI | 功能描述:閃存 DATAFLASH 1M SERIAL 2.7V CBGA IND TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| AT45DB011B-SC | 功能描述:閃存 1M SERIAL 2.7V - COM TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| AT45DB011B-SI | 功能描述:閃存 1M SERIAL 2.7V - IND TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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