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參數資料
| 型號： | AT34C02 |
| 廠商： | Atmel Corp. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2K 2-wire Serial EEPROM with Permanent Software Write Protect(2K 2線串行EEPROM（帶永久軟件寫保護 ）) |
| 中文描述： | 2K 2線串行EEPROM與常駐軟件寫保護（2K 2線串行EEPROM的（帶永久軟件寫保護）） |
| 文件頁數： | 3/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 242K |
| 代理商： | AT34C02 |
AT34C02
3
Note:
1. This parameter is characterized and is not 100% tested
Note:
1. V
IL
min and V
IH
max are reference only and are not tested.
AT34C02 Write Protection Modes
WP Pin Status
Write Protect Register
Part of the Array Write Protected
V
CC
—
Full Array (2K)
GND or Floating
Not Programmed
Normal Read/Write
GND or Floating
Programmed
First-Half of Array
(1K: 00H - 7FH)
Pin Capacitance
(1)
Applicable over recommended operating range from T
A
= 25
°
C, f = 1.0 MHz, V
CC
= +1.8V
Symbol
Test Condition
Max
Units
Conditions
C
I/O
Input/Output Capacitance (SDA)
8
pF
V
I/O
= 0V
C
IN
Input Capacitance (A
0
, A
1
, A
2
, SCL)
6
pF
V
IN
= 0V
DC Characteristics
Applicable over recommended operating range from: T
AI
= -40
°
C to +85
°
C, V
CC
= +1.8V to +5.5V, T
AC
= 0
°
C to +70
°
C,
V
CC
= +1.8V to +5.5V (unless otherwise noted).
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Units
V
CC1
Supply Voltage
1.8
5.5
V
V
CC2
Supply Voltage
2.7
5.5
V
V
CC3
Supply Voltage
4.5
5.5
V
I
CC
Supply Current V
CC
= 5.0V
READ at 100 kHz
0.4
1.0
mA
I
CC
Supply Current V
CC
= 5.0V
WRITE at 100 kHz
2.0
3.0
mA
I
SB1
Standby Current V
CC
= 1.8V
V
IN
= V
CC
or V
SS
0.6
3.0
μ
A
I
SB2
Standby Current V
CC
= 2.7V
V
IN
= V
CC
or V
SS
1.6
4.0
μ
A
I
SB3
Standby Current V
CC
= 5.0V
V
IN
= V
CC
or V
SS
8.0
18.0
μ
A
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= V
CC
or V
SS
0.10
3.0
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
CC
or V
SS
0.05
3.0
μ
A
V
IL
Input Low Level
(1)
-0.6
V
CC
x 0.3
V
V
IH
Input High Level
(1)
V
CC
x 0.7
V
CC
+ 0.5
V
V
OL2
Output Low Level V
CC
= 3.0V
I
OL
= 2.1 mA
0.4
V
V
OL1
Output Low Level V
CC
= 1.8V
I
OL
= 0.15 mA
0.2
V
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