參數(shù)資料
型號(hào): AT32UC3C2128C-Z2UR
廠商: Atmel
文件頁(yè)數(shù): 68/110頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述: IC MCU 32BIT 128K FLASH 64QFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: AVR®32 UC3 C
核心處理器: AVR
芯體尺寸: 32-位
速度: 66MHz
連通性: CAN,以太網(wǎng),I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB
外圍設(shè)備: 欠壓檢測(cè)/復(fù)位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 45
程序存儲(chǔ)器容量: 128KB(128K x 8)
程序存儲(chǔ)器類型: 閃存
RAM 容量: 32K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 3 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 11x12b,D/A 2x12b
振蕩器型: 內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 64-VFQFN 裸露焊盤(pán)
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: AT32UC3C2128C-Z2URDKR
60
32117DS–AVR-01/12
AT32UC3C
7.7
Flash Characteristics
Table 7-15 gives the device maximum operating frequency depending on the number of flash
wait states. The FSW bit in the FLASHC FSR register controls the number of wait states used
when accessing the flash memory.
Table 7-15.
Maximum Operating Frequency
Flash Wait States
Read Mode
Maximum Operating Frequency
0
1 cycle
33MHz
1
2 cycles
66MHz
Table 7-16.
Flash Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
tFPP
Page programming time
fCLK_HSB = 66MHz
4.3
ms
t
FPE
Page erase time
4.3
tFFP
Fuse programming time
0.6
tFEA
Full chip erase time (EA)
4.9
t
FCE
JTAG chip erase time (CHIP_ERASE)
f
CLK_HSB = 115 kHz
640
Table 7-17.
Flash Endurance and Data Retention
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
NFARRAY
Array endurance (write/page)
100k
cycles
N
FFUSE
General Purpose fuses endurance (write/bit)
1k
cycles
t
RET
Data retention
15
years
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT32UC3A1128-AUR MCU AVR32 128K FLASH 100TQFP
AT32UC3C2128C-A2UR IC MCU AVR32 128K FLASH 64TQFP
AT32UC3A4128-C1UR IC MCU 128K FLASH 100VFBGA
90327-0310 CONN RECEPT IDT 10POS 1.27MM TIN
90327-3306 CONN RECEPT IDT 6POS 1.27MM GOLD
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參數(shù)描述
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