參數(shù)資料
型號(hào)： AT32UC3C0128C-ALUR
廠商： Atmel
文件頁數(shù)： 68/110頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU AVR32 128K FLASH 144LQFP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： AVR® UC3 Introduction
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： AVR®32 UC3 C
核心處理器： AVR
芯體尺寸： 32-位
速度： 66MHz
連通性： CAN，EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART，USB
外圍設(shè)備： 欠壓檢測(cè)/復(fù)位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 123
程序存儲(chǔ)器容量： 128KB（128K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
RAM 容量： 32K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 3 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 16x12b，D/A 4x12b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 144-LQFP
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱： AT32UC3C0128C-ALURDKR
60
32117DS–AVR-01/12
AT32UC3C
7.7
Flash Characteristics
Table 7-15 gives the device maximum operating frequency depending on the number of flash
wait states. The FSW bit in the FLASHC FSR register controls the number of wait states used
when accessing the flash memory.
Table 7-15.
Maximum Operating Frequency
Flash Wait States
Read Mode
Maximum Operating Frequency
0
1 cycle
33MHz
1
2 cycles
66MHz
Table 7-16.
Flash Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
tFPP
Page programming time
fCLK_HSB = 66MHz
4.3
ms
t
FPE
Page erase time
4.3
tFFP
Fuse programming time
0.6
tFEA
Full chip erase time (EA)
4.9
t
FCE
JTAG chip erase time (CHIP_ERASE)
f
CLK_HSB = 115 kHz
640
Table 7-17.
Flash Endurance and Data Retention
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
NFARRAY
Array endurance (write/page)
100k
cycles
N
FFUSE
General Purpose fuses endurance (write/bit)
1k
cycles
t
RET
Data retention
15
years
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