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參數資料
| 型號： | AT32011 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 32MA I(C) | SOT-143 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 5.5VV（巴西）總裁| 32MA一（c）|的SOT - 143 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 435K |
| 代理商： | AT32011 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT32033 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 32MA I(C) | SOT-23 |
| AT3210 | AT3210 - 16 GrayScales 160x160 STN Controller |
| AT32C16-17JC | x16 EPROM |
| AT32C16-17JI | x16 EPROM |
| AT32C16-17PC | x16 EPROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AT-32011 | 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor |
| AT-32011-BLK | 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor |
| AT-32011-BLKG | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| AT-32011-TR1 | 功能描述:IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-143 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| AT-32011-TR1G | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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