參數(shù)資料
型號： AT29BV040A-25
廠商： Atmel Corp.
英文描述： 4 Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory
中文描述： 4兆位為512k × 8單2.7伏電池電壓的CMOS閃存
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 431K
代理商： AT29BV040A-25
AC Read Characteristics
AT29BV040A-25
AT29BV040A-35
Symbol Parameter
t
ACC
t
CE
(1)
t
OE
(2)
t
DF
(3, 4)
Min
Max
Min
Max
Units
ns
ns
ns
ns
Address to Output Delay
CE to Output Delay
OE to Output Delay
CE or OE to Output Float
Output Hold from OE, CE or Address,
whichever occurred first
250
250
120
60
350
350
150
75
0
0
0
0
t
OH
0
0
ns
AC Read Waveforms
Notes: 1. CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address
transition without impact on t
ACC
.
2. OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling
edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change without impact on t
ACC
.
3. t
DF
is specified from OE or CE whichever occurs first
(C
L
= 5 pF).
4. This parameter is characterized and is not 100% tested.
t
R
, t
F
< 5 ns
Input Test Waveforms and Measurement Level
Output Test Load
Pin Capacitance
(f = 1 MHz, T = 25°C)
(1)
Typ
4
8
Max
6
12
Units
pF
pF
Conditions
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
C
IN
C
OUT
Note:
1. These parameters are characterized and not 100% tested.
AT29BV040A
4-27
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT29BV040A-25TC 4 Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory
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AT29BV040A-35TI High Speed CMOS Logic Octal Non-Inverting Buffers and Line Drivers with 3-State Outputs 20-SOIC -55 to 125
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