參數(shù)資料
型號： AT28HC256E-12SC
廠商： ATMEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs
中文描述： 32K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PDSO28
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, MS-013, SOIC-28
文件頁數(shù)： 5/16頁
文件大?。?/td> 445K
代理商： AT28HC256E-12SC
AT28HC256
5
AC Read Waveforms
(1)(2)(3)(4)
Notes:
1. CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address transition without impact on t
ACC
.
2. OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change
without impact on t
ACC
.
3. t
DF
is specified from OE or CE whichever occurs first (C
L
= 5 pF).
4. This parameter is characterized and is not 100% tested.
Input Test Waveforms and
Measurement Level
Output Test Load
Note:
1. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AC Read Characteristics
Symbol
Parameter
AT28HC256-70
AT28C256-90
AT28HC256-12
Units
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
ACC
Address to Output Delay
70
90
120
ns
t
CE
(1)
CE to Output Delay
70
90
120
ns
t
OE
(2)
OE to Output Delay
0
35
0
40
0
50
ns
t
DF
(3)(4)
CE or OE to Output Float
0
35
0
40
0
50
ns
t
OH
Output Hold from OE, CE or Address,
whichever occurred first
0
0
0
ns
t
R
, t
F
< 5 ns
Pin Capacitance
f = 1 MHz, T = 25°C
(1)
Symbol
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
4
6
pF
V
IN
= 0V
C
OUT
8
12
pF
V
OUT
= 0V
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PDF描述
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