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參數(shù)資料
| 型號： | AT28C64E-20PI |
| 廠商： | ATMEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| 中文描述： | 8K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, PDIP28 |
| 封裝： | 0.600 INCH, PLASTIC, MS-011AB, DIP-28 |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 312K |
| 代理商： | AT28C64E-20PI |
AT28C64-12
AT28C64-15
AT28C64-20
AT28C64-25
Symbol
Parameter
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
t
ACC
t
CE
(1)
t
OE
(2)
Address to Output Delay
120
150
200
250
ns
CE to Output Delay
120
150
200
250
ns
OE to Output Delay
10
60
10
70
10
80
10
100
ns
t
DF (3, 4)
CE or OE High to Output
Float
0
45
0
50
0
55
0
60
ns
t
OH
Output Hold from OE, CE
or Address, whichever
occurred first
0
0
0
0
ns
AC Read Characteristics
Notes: 1. CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address
transition without impact on t
ACC
.
2. OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling
edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change without impact on t
ACC
.
Input Test Waveforms and
Measurement Level
3. t
DF
is specified from OE or CE whichever occurs first
(C
L
= 5 pF).
4. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AC Read Waveforms
(1, 2, 3, 4)
t
R
, t
F
< 20 ns
Pin Capacitance
(f = 1 MHz, T = 25°C)
(1)
Output Test Load
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
C
OUT
4
6
pF
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
8
12
pF
Note:
1. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AT28C64/X
2-197
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT28C64E-20SC | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28C64E-20SI | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28C64E-20TC | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28C64E-20TI | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28C64 | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AT28C64E-20SC | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 64K HI-ENDUR w/ RDYBSY 200NS RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28C64E-20SI | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 64K HI-ENDUR w/RDYBSY - 200NS RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28C64E-20TC | 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:64K 8K x 8 CMOS E2PROM |
| AT28C64E-20TI | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 64K HI-ENDUR w/RDYBSY - 200NS RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28C64E-25DC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EEPROM |
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