參數(shù)資料
型號(hào)： AT27C256R-90RC
廠商： ATMEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 256K 32K x 8 OTP CMOS EPROM
中文描述： 32K X 8 OTPROM, 90 ns, PDSO28
封裝： 0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-28
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 251K
代理商： AT27C256R-90RC
AC Characteristics for Read Operation
AT27C256R
-45
-55
-70
-90
-12
-15
Symbol
Parameter
Address to
Output Delay
CE to Output Delay
Condition
CE = OE
= V
IL
OE = V
IL
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
t
ACC
(3)
45
55
70
90
120
150
ns
t
CE
(2)
t
OE (2, 3)
45
20
55
25
70
30
90
30
120
35
150
40
ns
ns
OE to Output Delay
OE or CE High to
Output Float, whichever occurred first
Output Hold from
Address, CE or OE,
whichever occurred first
CE = V
IL
t
DF
(4, 5)
20
20
25
25
30
35
ns
t
OH
7
7
7
0
0
0
ns
Notes:
2, 3, 4, 5. - see AC Waveforms for Read Operation.
DC and AC Operating Conditions for Read Operation
AT27C256R
-45
-55
-70
-90
-12
-15
Operating
Temp. (Case)
Com.
Ind. -40°C - 85°C
5V
±
10%
0°C - 70°C
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
V
CC
Supply
DC and Operating Characteristics for Read Operation
Symbol
I
LI
I
LO
I
PP1
(
2
)
Parameter
Input Load Current
Output Leakage Current
V
PP
(
1
)
Read/Standby Current V
PP
= V
CC
Condition
V
IN
= 0V to V
CC
V
OUT
= 0V to V
CC
Min
Max
±
1
±
5
10
Units
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
I
SB
V
CC
(
1
)
Standby Current
I
SB1
(CMOS), CE = V
CC
±
0.3V
I
SB2
(TTL), CE = 2.0 to V
CC
+ 0.5V
f = 5 MHz, I
OUT
= 0 mA,
CE = V
IL
100
1
mA
I
CC
V
CC
Active Current
20
mA
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
-0.6
2.0
0.8
V
V
V
V
V
CC
+ 0.5
0.4
I
OL
= 2.1 mA
I
OH
= -400
μ
A
2.4
Notes: 1. V
CC
must be applied simultaneously or before V
PP
,
and removed simultaneously or after V
PP
.
2. V
PP
may be connected directly to V
CC
, except during program-
ming. The supply current would then be the sum of I
CC
and I
PP
.
3-128
AT27C256R
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT27C256 256K 32K x 8 OTP CMOS EPROM
AT27C256R High-Speed CMOS Logic Phase-Locked Loop with VCO 16-SOIC -40 to 85
AT27C256R-55PI 256K 32K x 8 OTP CMOS EPROM
AT27C256R-55RC High-Speed CMOS Logic Phase-Locked Loop with VCO 16-TVSOP -40 to 85
AT27C256R-55RI 256K 32K x 8 OTP CMOS EPROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AT27C256R-90TC 功能描述:可擦除可編程ROM 256k bit RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 類型: 存儲(chǔ)容量:1024 bit 組織:1 K x 1 接口類型: 工作電流:5 uA 編程電壓: 工作電源電壓:2.8 V to 6 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-92
AT27C256R-90TI 功能描述:IC OTP 256KBIT 90NS 28TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:32 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:1M (128K x 8) 速度:120ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:32-LCC（J 形引線） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:32-PLCC 包裝:管件 其它名稱:AT49BV00112JC
AT27C400-90JC 功能描述:IC OTP 4MBIT 90NS 44PLCC 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:EPROM 技術(shù):EPROM - OTP 存儲(chǔ)容量:4Mb （512K x 8，256K x 16） 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè):- 訪問(wèn)時(shí)間:90ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:44-LCC（J 形引線） 供應(yīng)商器件封裝:44-PLCC（16.59x16.59） 基本零件編號(hào):AT27C400 標(biāo)準(zhǔn)包裝:27
AT27C400-90PC 功能描述:IC OTP 4MBIT 90NS 40DIP 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:EPROM 技術(shù):EPROM - OTP 存儲(chǔ)容量:4Mb （512K x 8，256K x 16） 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè):- 訪問(wèn)時(shí)間:90ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TC） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:40-DIP（0.600"，15.24mm） 供應(yīng)商器件封裝:40-PDIP 基本零件編號(hào):AT27C400 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
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