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參數(shù)資料
| 型號： | ASI1N23WG |
| 廠商： | Advanced Semiconductor, Inc. |
| 英文描述： | SILICON MIXER DIODE |
| 中文描述： | 硅二極管混合器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 15K |
| 代理商： | ASI1N23WG |
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25
O
C
SYMBOL
F = 9375 MHz P
lo
= 1.0 mW N
Fif
= 1.5 dB
R
L
= 100
I
F
= 30 MHz
V
SWR
Z
IF
frange
NONE
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL
MAXIM
UNITS
NF
7.5
dB
1.3
R
L
= 22
f = 1000 Hz
335
465
GHz
8.0
12.4
SILICON MIXER DIODE
1N23WE
DESCRIPTION:
The
ASI 1N23WE
is a Silicon Mixer
Diode Designed for Applications
Operating From 8.0 to 12.4 GHz.
FEATURES:
High burnout resistance
Low noise figure
Hermetically sealed package
MAXIMUM RATINGS
I
F
V
R
P
DISS
5.0
(ERGS)
@ T
C
= 25
O
C
T
J
-55
O
C to +150
O
C
T
STG
-55
O
C to +150
O
C
20 mA
1.0 V
PACKAGE STYLE DO- 23
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASI1N415E | SILICON MIXER DIODE |
| ASI2001 | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| ASI10527 | ER 3C 3#8 PIN RECP LINE |
| ASI2003 | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| ASI10528 | ER 3C 3#8 SKT RECP LINE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ASI1N415E | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:SILICON MIXER DIODE |
| ASI2001 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| ASI2001_07 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| ASI2003 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| ASI2003_07 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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