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參數(shù)資料
| 型號： | AS7C3364PFS36B-200TQIN |
| 廠商： | ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 64K X 32/36 pipeline burst synchronous SRAM |
| 中文描述： | 64K X 36 STANDARD SRAM, 3 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 8/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 548K |
| 代理商： | AS7C3364PFS36B-200TQIN |
AS7C3364PFS32B
AS7C3364PFS36B
12/10/04; v.1.4
Alliance Semiconductor
P. 8 of 19
Absolute maximum ratings
Stresses greater than those listed under “Absolute maximum ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only, and functional
operation of the device at these or any other conditions outside those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions may affect reliability.
Recommended operating conditions at 3.3V I/O
Recommended operating conditions at 2.5V I/O
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Power supply voltage relative to GND
V
DD
, V
DDQ
–0.5
+4.6
V
Input voltage relative to GND (input pins)
V
IN
–0.5
V
DD
+ 0.5
V
Input voltage relative to GND (I/O pins)
V
IN
–0.5
V
DDQ
+ 0.5
V
Power dissipation
P
d
–
1.8
W
Short circuit output current
I
OUT
–
20
mA
Storage temperature
T
stg
–65
+150
o
C
Temperature under bias
T
bias
–65
+135
o
C
Parameter
Symbol
Min
Nominal
Max
Unit
Supply voltage for inputs
V
DD
3.135
3.3
3.465
V
Supply voltage for I/O
V
DDQ
3.135
3.3
3.465
V
Ground supply
Vss
0
0
0
V
Parameter
Symbol
Min
Nominal
Max
Unit
Supply voltage for inputs
V
DD
3.135
3.3
3.465
V
Supply voltage for I/O
V
DDQ
2.375
2.5
2.625
V
Ground supply
Vss
0
0
0
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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