參數(shù)資料
型號(hào)： AS7C31025C
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)
中文描述： 3.3 128K的× 8 CMOS SRAM的（中心電源和接地）
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大小： 131K
代理商： AS7C31025C
September 2006
Advance Information
Copyright Alliance Memory. All rights reserved.
AS7C31025C
3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)
9/20/06, v. 1.0
Alliance Memory
P. 1 of 9
Features
Industrial and commercial temperatures
Organization: 131,072 x 8 bits
High speed
- 10 ns address access time
- 5 ns output enable access time
Low power consumption via ship deselect
Easy memory expansion with
CE
,
OE
inputs
Center power and ground
TTL/LVTTL-compatible, three-state I/O
JEDEC-standard packages
- 32-pin, 300 mil SOJ
- 32-pin, 400 mil SOJ
- 32-pin, TSOP 2
ESD protection
≥
2000 volts
Logic block diagram
131,072 x 8
Array
(1,048,576)
S
Input buffer
A
A
A
A
A
A
A
I/O0
I/O7
OE
CE
WE
Address decoder
A
Control
circuit
A
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
V
CC
GND
Pin arrangement
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE
I/O7
I/O6
GND
V
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
A0
A1
A2
A3
CE
I/O0
I/O1
V
CC
GND
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
A
32-pin SOJ (300 mil)
32-pin SOJ (400 mil)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A0
A1
A2
A3
CE
I/O0
I/O1
V
GND
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
A16
A15
A14
A13
OE
I/O7
I/O6
GND
V
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
32-pin TSOP 2
A
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