參數(shù)資料
型號： AS7C31025B-10JIN
廠商： ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)
中文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO32
封裝： 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-32
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 99K
代理商： AS7C31025B-10JIN
AS7C31025B
3/24/04, v. 1.3
Alliance Semiconductor
P. 5 of 9
Write cycle (over the operating range)
11
Write waveform 1 (WE controlled)
10,11
Write waveform 2 (CE controlled)
10,11
Parameter
Symbol
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
-10
-12
-15
-20
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
Min
10
8
8
0
7
0
0
5
0
–
1
Max
–
–
–
–
–
–
–
–
–
5
–
Min
12
9
9
0
8
0
0
6
0
–
1
Max
–
–
–
–
–
–
–
–
–
6
–
Min
15
10
10
0
9
0
0
8
0
–
1
Max
–
–
–
–
–
–
–
–
–
7
–
Min
20
12
12
0
12
0
0
10
0
–
1
Max
–
–
–
–
–
–
–
–
–
8
–
Write cycle time
Chip enable (
CE
) to write end
Address setup to write end
Address setup time
Write pulse width
Write recovery time
Address hold from end of write
Data valid to write end
Data hold time
Write enable to output in high Z
Output active from write end
4, 5
4, 5
4, 5
t
AW
t
AH
t
WC
Address
WE
D
OUT
t
DH
t
OW
t
DW
Data valid
t
WZ
t
WP
t
AS
D
IN
t
WR
t
AW
Address
CE
WE
D
OUT
t
CW
t
WP
t
DW
Data valid
t
DH
t
AH
t
WR
t
WZ
t
WC
t
AS
D
IN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS7C31025B-12TJIN 3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)
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AS7C31025B 3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)
AS7C31025B-12TJI 8-Bit Parallel-Load Shift Registers 16-SOIC -40 to 85
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參數(shù)描述
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