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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS7C252MNTF18A-10TQI |
| 廠(chǎng)商： | ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 2.5V 2M x 18 Flowthrough SRAM with NTD |
| 中文描述： | 2M X 18 ZBT SRAM, 10 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/18頁(yè) |
| 文件大小： | 415K |
| 代理商： | AS7C252MNTF18A-10TQI |
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AS7C252MNTF18A
1/17/05, v 1.1
Alliance Semiconductor
P. 12 of 18
Timing waveform of read/write cycle
Note: Y = XOR when LBO = high/no connect. Y = ADD when LBO = low.
t
CH
t
CYC
t
CL
t
CENS
t
OH
t
OE
CLK
CEN
CE0, CE2
ADV/LD
R/W
ADDRESS
D/Q
OE
Command
t
HZOE
BWn
A2
A1
A3
A5
A4
A7
A6
D(A1)
D(A5)
Q(A6)
D(A2)
D(A2
Y
01)
Q(A3)
Q(A4)
Q(A4
Y
01
)
t
CENH
t
DS
t
DH
t
LZC
t
CD
t
HZC
t
LZOE
READ
Q(A3)
READ
Q(A4)
BURST
READ
Q(A4Y01)
WRITE
D(A5)
READ
Q(A6)
WRITE
D(A7)
DSEL
t
CSS
t
ADVH
t
WS
t
WH
t
WS
t
WH
CE1
WRITE
D(A1)
WRITE
D(A2)
t
ADVS
t
CSH
t
AS
t
AH
D(A7)
BURST
WRITE
D(A2Y01)
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