參數(shù)資料
型號： AS7C1026B-12TIN
廠商： ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 5 V 64K X 16 CMOS SRAM
中文描述： 64K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44
封裝： 10.20 X 18.40 MM, LEAD FREE, TSOP2-44
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 122K
代理商： AS7C1026B-12TIN
AS7C1026B
3/26/04, v 1.3
Alliance Semiconductor
P. 5 of 10
Read waveform 2 (OE, CE, UB, LB controlled)
3,6,8,9
Write cycle (over the operating range)
11
Parameter
Symbol
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
t
BW
-10
-12
-15
-20
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
Min Max Min Max Min Max Min Max
10
–
12
–
8
–
9
–
8
–
9
–
0
–
0
–
7
–
8
–
0
–
0
–
0
–
0
–
5
–
6
–
0
–
0
–
–
5
–
6
1
–
1
–
7
–
8
–
Write cycle time
Chip enable (CE) to write end
Address setup to write end
Address setup time
Write pulse width
Write recovery time
Address hold from end of write
Data valid to write end
Data hold time
Write enable to output in high Z
Output active from write end
Byte select low to end of write
15
10
10
0
9
0
0
8
0
–
1
9
–
–
–
–
–
–
–
–
–
7
–
–
20
12
12
0
12
0
0
10
0
-
2
9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
5
4, 5
4, 5
Data valid
t
RC
t
AA
t
BLZ
t
BA
t
OE
t
OLZ
t
OH
t
OHZ
t
HZ
t
BHZ
t
ACE
t
LZ
Address
OE
CE
LB, UB
Data
IN
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