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參數(shù)資料
| 型號： | AS6C4008-55PCN |
| 廠商： | ALLIANCE MEMORY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | IC,AS6C4008-55PCN,DIP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V |
| 中文描述： | 512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDIP32 |
| 封裝： | 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 11/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 1335K |
| 代理商： | AS6C4008-55PCN |
WRITE CYCLE 1
(WE# Controlled) (1,2,3,5,6)
Dout
Din
Data Valid
tDW
tDH
(4)
High-Z
tWHZ
WE#
tWP
tCW
CE#
tWR
tAS
tAW
Address
tWC
(4)
TOW
WRITE CYCLE 2
(CE# Controlled) (1,2,5,6)
Dout
Din
Data Valid
tDW
tDH
(4)
High-Z
tWHZ
WE#
tWP
tCW
CE#
tWR
tAS
tAW
Address
tWC
Notes :
1.WE#, CE# must be high during all address transitions.
2.A write occurs during the overlap of a low CE#, low WE#.
3.During a WE# controlled write cycle with OE# low, tWP must be greater than tWHZ + tDW to allow the drivers to turn off and data to be
placed on the bus.
4.During this period, I/O pins are in the output state, and input signals must not be applied.
5.If the CE# low transition occurs simultaneously with or after WE# low transition, the outputs remain in a high impedance state.
6.tOW and tWHZ are specified with CL = 5pF. Transition is measured ±500mV from steady state.
2009
512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM
AS6C4008
AUG09 v1.4
Alliance Memory Inc
Page 6 of 14
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AS6C4008-55STIN | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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