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參數(shù)資料
| 型號： | AS4LC4M16 |
| 英文描述： | 64000Kbits 4M x 16 Replacement with DSCC 5962-n/a | DRAM |
| 中文描述： | 64000Kbits 4米× 16置換籍局5962氮/ 1 |內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 12/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 265K |
| 代理商： | AS4LC4M16 |
AS4LC4M4E0
AS4LC4M4E1
4/11/01; V1.1
Alliance Semiconductor
P. 12 of 15
EDO page mode read-modify-write waveform
CAS
before
RAS
refresh waveform
WE
= V
IH
RAS
only refresh waveform
WE
=
OE
= V
IH
or V
IL
t
RASP
t
RP
t
RCD
t
CSH
t
CAS
t
CP
t
CRP
t
ASR
t
CAH
t
CAH
t
RAL
t
CAH
t
CWD
t
AWD
t
CWD
t
CWL
t
WP
t
CWD
t
AWD
t
RWL
t
OEZ
t
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t
RAC
t
DS
t
CLZ
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t
CPA
Row ad
Col ad
Col address
Col ad
Data out
Data in
Data in
Data out
Data out
Data in
RAS
CAS
Address
WE
OE
DQ
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RAD
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RAH
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OEA
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DS
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CLZ
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CAC
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HPRWC
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CPWD
t
ASC
t
ASC
t
ASC
t
RP
t
RC
t
RAS
t
RPC
t
CP
t
CSR
t
CHR
RAS
CAS
DQ
OPEN
t
RAS
t
RP
t
RC
t
CRP
t
RPC
t
ASR
t
RAH
Row address
RAS
Address
CAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4LC4M4 | 16384Kbits 4M x 4 Replacement with DSCC 5962-n/a | DRAM |
| AS4LC4M4E0 | 4M x 4 CMOS DRAM (EDO) Family |
| AS4LC4M4E0-50JC | x4 EDO Page Mode DRAM |
| AS4LC4M4E0-50JI | x4 EDO Page Mode DRAM |
| AS4LC4M4E0-50TC | x4 EDO Page Mode DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4LC4M16_05 | 制造商:AUSTIN 制造商全稱:Austin Semiconductor 功能描述:4 MEG x 16 DRAM Extended Data Out (EDO) DRAM |
| AS4LC4M16DG-5/XT | 制造商:Micross Components 功能描述:4M X 16 EDO DRAM TSOP - Trays |
| AS4LC4M16DG-5S/IT | 制造商:AUSTIN 制造商全稱:Austin Semiconductor 功能描述:4 MEG x 16 DRAM |
| AS4LC4M16DG-5S/XT | 制造商:AUSTIN 制造商全稱:Austin Semiconductor 功能描述:4 MEG x 16 DRAM Extended Data Out (EDO) DRAM |
| AS4LC4M16DG-6S/IT | 制造商:AUSTIN 制造商全稱:Austin Semiconductor 功能描述:4 MEG x 16 DRAM |
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